芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結構的場(chǎng)截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結構大大增加器件的功率密度，通過(guò)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場(chǎng)截止型（Field Stop）結構，從而顯著(zhù)降低器件的飽和導通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff），對比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗之和）降低了33%，配合搭載獨立的等電壓快速恢復二極管（FRD），適宜于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應用。 模塊采用標準封裝，產(chǎn)品在嚴酷的環(huán)境下具有穩定一致的電參數和牢固的可靠性。

特點(diǎn)與優(yōu)勢：

• 低飽和導通壓降（Vce（sat））;
• 低開(kāi)關(guān)損耗（Ets）;
• 高擊穿電壓（BVces）;
• 高短路電流耐量（Icsc）;
• 電參數重復性與一致性；
• 高可靠性。